号称功耗降一半!曝三星3nm GAA存漏电等缺陷:难敌台积电

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  上周有报道称,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。

  当时他曾放下狠话称:“我们开发中的GAA技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

  但是根据最新报道,有业内人士表示三星目前的3nm GAA工艺依然面临着漏电等关键技术问题,且在性能和成本方面可能也存在一些问题,或许将依然不敌台积电3nm FinFET工艺。

  据此前消息,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

  根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

  不过,上述人士透露,三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产,但由于成本高和性能不理想,可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户,同时他还称台积电目前已经提前拿到了苹果和英特尔的订单。